影响结晶的因素主要有以下几点： 1、浆料的过饱和度，这个主要由温度来控制，温度越低过饱和度越低。过饱和度越大，则，产生晶核越多，结晶体粒径越小。 2、停留时间，时间越长，则产生的结晶体粒径越大。停留时间与液位有关，液位越高，停留时间越强。 3、容器的搅拌强度，搅拌越强，容易破碎晶体，结晶体粒径越小 4、杂质成分，杂质成分较多，则比较容易形成晶核，结晶体粒径越小。 结晶过程控制： 1、维持稳定的过饱和度，防止结晶器在局部范围内(例如蒸发面、冷却表面、不同浓度的两流股的混合区内)产生过大的过饱和度。 2、尽可能减低晶体的机械碰撞能量及几率。 3、结晶器液面应保持一定的高度，如果液面太低，会破坏悬浮液床层，使过饱和度越过介稳区，产生大量晶核。 4、应防止系统带气，否则会破坏晶浆床层，使液面翻腾，溢流带料严重。 5、应限制晶体的生长速率，即不以盲目提高过饱和度的方法，来达到提高产量的目的。 6、可对溶液进行加热、过滤等预处理，以消除溶液中可能成为过多晶核的微粒。 7、从结晶器中及时移除过量的微晶。产品按粒度分级排出，使符合粒度罢求的晶粒能作为产品及时排出，而不使其在器内继续参与循环。 8、将含有过量细晶的母液取出后加热或稀释，使细晶溶解，然后送回结晶器。 9、母液温度不宜相差过大，避免过饱和度过大，晶核增多。 10、调节原料溶液的pH值或加入某些具有选择性的添加剂以改变成核速率。 11、操作工应认真负责，在结晶操作上要勤检查、稳定工艺，保证生产在最佳程序下进行。